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1800亿开建芯片基地,三星为何选择押本中国?中韩闪存碰撞中合作

时间: 2020-07-24 12:40:24 来源:大数据热点 作者: 1800亿开


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今日半导体新闻摘要一句话总结:国内市场大啊,次要原因:日本限制韩国半导体材料采购,三星也想在中国寻找一个可替代的方案,然后顺便打击下中国国内刚有点起色的存储器厂商罢了。次要原因只是让三星进一步考虑扩大中国厂区规模,而由于重视国内市场三星早在2012年9月便开建一期基地,用于生产NAND Flash闪存芯片,一期基地在2014年中旬就已经完工投产,每月的产能也达到了12万片。

2020年6月我国在武汉正式开建国家存储器基地二期,直接砸下1700亿来加快半导体存储器行业的布局,维持在国内、国际存储器市场的攻势。可能我们已经在陶醉在紫光集团今年4月攻克128层堆栈闪存、以及二期基地准备加大量产进度的消息中。中国半导体存储芯片布局未来看似明朗,但我要提醒一点的就是,就在中国存储器布阵的同时,全球存储器巨头三星、韩国财阀集团早在武汉存储器基地前完成布局,中韩存储器竞争的硝烟此时才刚刚四处弥漫开来。

投资超1800亿的西安三星存储芯片基地是其海外唯一一个存储器基地
2019年12月三星存储芯片基地二期第二阶段项目在西安高新区低调启动,那时好像报道也不是蛮多,但其实三星这一举措在半导体行业堪称重磅级的存在,因为这项工程是三星唯一一个在海外布局的存储器基地,也是继美国之后在韩国本土外第二个半导体工厂,一期实际投资近108亿美元,二期第一阶段投资70亿美元,第二阶段80亿美元,总共近258亿美元合计人民币超1800亿,这也是三星在海外投资最大的一笔金额,而这仅仅是这位半导体巨头存储芯片扩张的第一步。

为什么三星会选择在中国开建自己本土外第二个半导体生产基地?

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